SI4410BDY-T1-GE3_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

SI4410BDY-T1-GE3 N溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為高效率、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載8.5A連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻低至14mΩ，確保在高負(fù)載條件下仍能保持出色的能效和低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)合，憑借卓越的電流處理能力和穩(wěn)定的電氣性能，成為電路設(shè)計(jì)的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

SI4410BDY-T1-GE3_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢