FDS6630A_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDS6630A N溝道MOSFET以其緊湊的SOP-8封裝，為您提供高效的空間利用率。該器件擁有強(qiáng)大的性能指標(biāo)工作電壓VDSS高達(dá)30V，可承載最大連續(xù)漏極電流ID為8.5A，展現(xiàn)出卓越的負(fù)載能力。尤為突出的是其低至14mΩ的導(dǎo)通電阻RD(on)，有效減少功率損耗并提高能源效率。適用于各類電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場景，是您構(gòu)建高性能、節(jié)能電子系統(tǒng)的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDS6630A_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢