FDS6930B_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/25.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

FDS6930B 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝，專為現(xiàn)代高功率密度電子設(shè)備提供卓越的電流處理能力。其關(guān)鍵特性包括最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，可穩(wěn)定傳導(dǎo)6A的漏極電流；得益于其25mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，顯著降低了系統(tǒng)功耗，提升了整體能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您追求高效率與節(jié)能設(shè)計(jì)的理想MOS管器件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDS6930B_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/25.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/25.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢