FDS4685_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/13.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDS4685 P溝道MOSFET采用SOP-8封裝，專為高功率、高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有40V的漏源電壓(VDSS)，能在14mR的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))下，支持高達(dá)13A的持續(xù)漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于電源管理、逆變器、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，憑借其出色的電流處理能力和卓越的能效表現(xiàn)，是優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能降耗的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDS4685_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/13.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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