SI4447DY-T1-E3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/13.0A 參數4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI4447DY-T1-E3 是一款高性能P溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，專為高功率和高效率應用設計。器件擁有40V的漏源電壓(VDSS)，并能在僅僅14mR的導通電阻(RD(on))下，安全承載高達13A的漏極電流(ID)。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等場景，此款MOS管憑借其出色的電流處理能力和優秀的能效表現，成為您提升系統效能和節能的關鍵元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4447DY-T1-E3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/13.0A 參數4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/13.0A 參數4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢