SI4431CDY-T1-E3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI4431CDY-T1-E3 是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型SOP-8封裝，專為緊湊型電路設(shè)計。器件支持30V的漏源電壓(VDSS)，能承載最大6A的連續(xù)漏極電流(ID)，并且具備低至28mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在開關(guān)應(yīng)用中實現(xiàn)低損耗和高效能。廣泛應(yīng)用于電源管理、負載開關(guān)、電池保護等領(lǐng)域，是優(yōu)化系統(tǒng)性能的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4431CDY-T1-E3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標價：歡迎咨詢