NTMD4840NR2G_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTMD4840NR2G 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，專為高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件特點(diǎn)包括最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，支持8.5A連續(xù)漏極電流，保證強(qiáng)大電流承載力；15mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效減少功率損耗，提升整體能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等場(chǎng)景，是您追求高效節(jié)能解決方案的理想MOS管組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

NTMD4840NR2G_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/8.5A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢