DMN2029USD_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/8.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN2029USD 型號MOS管采用NN溝道技術(shù)，封裝于緊湊型SOP-8封裝內(nèi)，專為現(xiàn)代電子設(shè)備的高效能和小型化設(shè)計。在20V額定電壓VDSS下，該器件可提供高達8A的連續(xù)漏極電流ID，并具備出色的13mR導(dǎo)通電阻RD(on)，確保了卓越的能源轉(zhuǎn)換效率和低功耗性能。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)等場合，是提升系統(tǒng)效能和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN2029USD_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/8.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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