BSO150N03MDG_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.5A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

BSO150N03MDG 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為高集成度和節(jié)能應(yīng)用設(shè)計。其主要規(guī)格包括VDSS耐壓高達(dá)30V，可穩(wěn)定承載11.5A的連續(xù)漏極電流，彰顯出卓越的電力處理性能。尤其突出的是，器件具有極低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為10mR，大大減少了能量損耗，提高了整體能效。BSO150N03MDG MOS管以出色的開關(guān)速度、低功耗及高穩(wěn)定性等特性，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、消費電子等領(lǐng)域，是您追求高效能方案的理想半導(dǎo)體組件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BSO150N03MDG_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.5A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.5A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢