SI4835DDY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI4835DDY-T1-GE3 型號MOS管，采用SOP-8封裝，內(nèi)部集成高性能P溝道技術(shù)。本器件最大漏源電壓(VDSS)達(dá)30V，支持高達(dá)11A的連續(xù)漏極電流(ID)，以滿足嚴(yán)苛的大電流需求場景。其卓越的導(dǎo)通電阻僅13mR(RD(on))，在業(yè)界同類產(chǎn)品中表現(xiàn)出色，有助于提升系統(tǒng)效率并減少能量損失。廣泛應(yīng)用在電源管理、電機(jī)驅(qū)動及高電流開關(guān)控制器設(shè)計中，是您打造高效能電子產(chǎn)品的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4835DDY-T1-GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/11.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢