CSD16325Q5_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

CSD16325Q5 是一款N溝道MOS管，采用小型化DFN5X6-8L封裝，專為現代緊湊型電子設備設計。該器件可在30V的最大漏源電壓(VDSS)下工作，提供高達150A的連續漏極電流(ID)，展現卓越的電流處理能力。其亮點在于僅2mΩ的超低導通電阻(RD(on))，有效降低功耗并提升電路效率，適用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等高功率應用場景，是實現高效能電路設計的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

CSD16325Q5_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢