GKI04076_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

GKI04076 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，特別適合空間有限的設計項目。器件具有優(yōu)越的電氣性能，包括40V的漏源擊穿電壓(VDSS)和高達60A的連續(xù)漏極電流(ID)，并且其低至6.9mΩ的導通電阻(RD(on))大大提升了系統(tǒng)的能源效率。該MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、LED照明等領域，是您追求高功率密度和高效能解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GKI04076_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢