SIR836DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SIR836DP-T1-GE3 N溝道MOS管采用先進(jìn)的DFN5X6-8L封裝技術(shù)，具備出色的熱性能和空間利用率。該器件可在40V電壓VDSS下承載高達(dá)50A的連續(xù)漏極電流ID，專為高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其核心亮點(diǎn)在于極低的導(dǎo)通電阻RD(on)——11mΩ，有效減少功耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，SIR836DP-T1-GE3 MOS管是尋求高性能、節(jié)能解決方案的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

SIR836DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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