AONS21321_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/9.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AONS21321 是一款采用先進(jìn)DFN5X6-8L封裝的高性能P溝道MOS管，具備30V的高耐壓VDSS，可支持高達(dá)50A的連續(xù)電流ID，尤其適用于大電流開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。其出色之處在于導(dǎo)通電阻RD(on)僅為9mR，有助于顯著降低系統(tǒng)功耗和提升整體效率。此器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是高功率密度和高效率設(shè)計(jì)方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

AONS21321_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/9.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/9.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢