SI7850DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/20.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI7850DP-T1-GE3 是一款采用先進DFN5X6-8L封裝的高性能N溝道MOS管，具有出色的60V漏源電壓VDSS和高達30A的連續電流ID處理能力，特別適用于高功率應用場合。其導通電阻RD(on)僅為20mR，顯著提高了電路效率并降低了功耗。這款MOS管廣泛應用于開關電源、馬達驅動、電池管理系統等領域，是實現高效、節能設計的理想半導體器件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7850DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/20.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/20.0mR 標價：歡迎咨詢