NVMFS5C680NL_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/20.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NVMFS5C680NL 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封裝，具有出色的電性指標(biāo)。該器件具有60V的漏源耐壓VDSS，能承受高達30A的連續(xù)電流ID，特別適合于高功率和大電流應(yīng)用。其優(yōu)勢在于僅20mR的導(dǎo)通電阻RD(on)，有效降低了功率損耗，提升了系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動控制等多個領(lǐng)域，是實現(xiàn)高效、節(jié)能電路設(shè)計的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NVMFS5C680NL_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/20.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/20.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢