SI7635DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/18.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/3.4mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI7635DP-T1-GE3 是一款高性能P溝道MOS管，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，優化散熱性能和PCB占用面積。器件能在18V的電壓下穩定工作，提供強勁的80A連續電流，而3.4mΩ的超低導通電阻確保了卓越的能效表現。廣泛應用于電源供應系統等領域的高電流開關與轉換場景，是實現高效能電力管理的理想解決方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7635DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/18.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/3.4mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/18.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/3.4mR 標價：歡迎咨詢