IPG20N06S2L-50A_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IPG20N06S2L-50A 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為高效能與空間受限應用打造。器件支持最高60V的電壓VDSS，能穩定承載50A的大電流，表現出眾。其亮點在于導通電阻RD(on)僅為11mR，有效降低了系統功耗，提升了工作效率。IPG20N06S2L-50A 廣泛應用在電源轉換、電機驅動和高壓負載開關等場景，是您構建高能效電子設備的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPG20N06S2L-50A_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N+N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢