SIR802DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/3.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SIR802DP-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，專為高功率密度和低功耗應用設計。在20V電壓VDSS下，該器件能夠穩定輸送高達80A的連續電流，展現出卓越的電流承載能力。其獨特之處在于擁有僅3.5mR的超低導通電阻RD(on)，有效提升了系統能效并減少了功耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動和其他需要高性能低損耗MOSFET的場合，SIR802DP-T1-GE3 無疑是您理想的選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIR802DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/3.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/3.5mR 標價：歡迎咨詢