FDMS6681Z_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/110.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDMS6681Z P溝道MOSFET采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，兼具出色散熱性能與高集成度。器件特性卓越具備30V的額定漏源電壓(VDSS)，可承載高達(dá)110A的連續(xù)電流，而其優(yōu)秀的3mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))使得能效顯著提升，降低功耗損失。廣泛應(yīng)用于高壓大電流領(lǐng)域，如電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等，是提升系統(tǒng)性能與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

FDMS6681Z_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/110.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/110.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢