SI7145DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/110.0A 參數4：RDON/3.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

熱銷SI7145DP-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用DFN5X6-8L封裝技術，整合小巧體積與高效散熱功能。該器件性能卓越，具有30V的最高耐壓值(VDSS)，支持高達110A的連續工作電流，其導通電阻(RD(on))低至3mΩ，確保了優異的電能轉換效率和低功耗表現。廣泛應用于大電流負載場景，如電源轉換、電機驅動等行業，是提升系統性能和節能效果的理想半導體解決方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7145DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/110.0A 參數4：RDON/3.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/110.0A 參數4：RDON/3.0mR 標價：歡迎咨詢