AONS21357_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

AONS21357 P溝道MOSFET采用小型化DFN5X6-8L封裝，具備優秀散熱性能，適合緊湊空間布局。器件參數優勢明顯支持30V的最高漏源電壓(VDSS)，能夠提供高達70A的連續電流，且導通電阻僅為6mΩ，有效提升系統工作效率，降低功耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動等多種大電流場景，是您追求高性能與節能設計的理想半導體器件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AONS21357_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢