SI7139DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI7139DP-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN5X6-8L封裝，不僅具有良好的散熱性能，而且體型小巧便于集成。器件關鍵參數如下最高漏源電壓(VDSS)為30V，能承受高達70A的連續電流，且擁有6mΩ的低導通電阻(RD(on))，確保了高效的功率轉換與較低的能耗。廣泛應用在電源轉換、電機驅動等領域，是優化系統性能、達成節能目標的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7139DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢