RJK0365DPA_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

RJK0365DPA N溝道MOSFET采用現(xiàn)代化DFN5X6-8L封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)卓越的小型化與高效散熱。該器件關(guān)鍵特性包括支持30V的最大漏源電壓(VDSS)，能提供穩(wěn)定的50A連續(xù)電流，而其低至6.5mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了出色的能效和低損耗。廣泛運(yùn)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高電流應(yīng)用場(chǎng)景，是提升系統(tǒng)性能、實(shí)現(xiàn)節(jié)能目標(biāo)的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話(huà)：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

RJK0365DPA_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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