CSD17307Q5A_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

CSD17307Q5A N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，實現(xiàn)緊湊尺寸與高效散熱的完美平衡。該器件參數(shù)優(yōu)越支持30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠提供穩(wěn)定的50A連續(xù)電流，得益于6.5mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了高能效轉(zhuǎn)換和降低功耗。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等大電流領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)性能和節(jié)能方案的理想半導(dǎo)體器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

CSD17307Q5A_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢