Si2308BDS-T1-GE3_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/4.5A 參數4：RDON/70.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

Si2308BDS-T1-GE3 型號MOS管，采用小巧的SOT-23-3L封裝，適應各類微小空間內集成應用。這款高性能N溝道MOSFET支持高達60V的工作電壓，并能在穩定狀態下承載4.5A的漏極電流，確保在多種高壓大電流條件下可靠運行。其導通電阻低至70mΩ，有效提高了能源轉化效率并減少了系統內部能耗。廣泛運用于電源管理、馬達驅動、負載切換等多種場景，是打造高效節能電子設備的關鍵組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2308BDS-T1-GE3_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/4.5A 參數4：RDON/70.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/4.5A 參數4：RDON/70.0mR 標價：歡迎咨詢