AO3485_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/34.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AO3485 型號P溝道MOS管，采用微型SOT-23-3L封裝設(shè)計(jì)，體積小巧，方便在緊湊型電子設(shè)備中布局。器件具有20V的額定電壓VDSS，以及4.1A的連續(xù)電流ID承載能力，專為高效能、低功耗應(yīng)用打造。其34mR的導(dǎo)通電阻，確保在實(shí)際操作中實(shí)現(xiàn)較高的能源轉(zhuǎn)換效率。此款MOS管適用于各類電源開關(guān)、負(fù)載驅(qū)動和邏輯電平轉(zhuǎn)換場景，出廠前經(jīng)過嚴(yán)格質(zhì)量把控，確保在各類工況下都能展現(xiàn)卓越性能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AO3485_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/34.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/34.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢