AO3409_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/45.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AO3409 是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23-3L封裝，專為高集成度和節(jié)能電子設(shè)計。該器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載4.2A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有出色的45mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在低功耗下仍能保持高效的電能轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)、電池管理系統(tǒng)等場景，是小型化、高性能電子設(shè)備的優(yōu)選半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AO3409_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/45.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/45.0mR 標價：歡迎咨詢