FDN028N20_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDN028N20 N溝道MOSFET采用小型化SOT-23-3L封裝，專為現(xiàn)代高密度電子設(shè)計。器件提供20V的漏源電壓(VDSS)，在18mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))下，可承載高達6A的漏極電流(ID)。此款MOS管適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、以及其他高電流應(yīng)用場合，憑借其卓越的電流承載能力和優(yōu)良能效表現(xiàn)，是您提升系統(tǒng)性能、降低能耗的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDN028N20_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢