RTR025P02FRA_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/34.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

RTR025P02FRA 是一款P溝道MOSFET，采用微型SOT-23-3L封裝，適用于空間受限和高集成度的電路設計。器件特性包括最大漏源電壓(VDSS)為20V，可穩定提供4.1A的漏極電流(ID)，且導通電阻(RD(on))低至34mR，確保在低電壓應用環境下也能實現高效能和低功耗。這款MOS管廣泛應用于電源轉換、負載開關控制、低壓電子設備中，是優化系統性能的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

RTR025P02FRA_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/34.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/34.0mR 標價：歡迎咨詢