DMG6968UDM_SOT-23-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

DMG6968UDM NN溝道MOSFET采用經(jīng)濟高效的SOT-23-6L封裝，適合現(xiàn)代高密度電子設計。該器件支持最大工作電壓20V（VDSS），并能穩(wěn)定處理高達7A的連續(xù)漏極電流（ID），在同類產品中表現(xiàn)出卓越的電流承載能力。其出眾的導通電阻僅為14mR（RD(on)），有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)整體能效。廣泛應用于電源管理、電機驅動、以及多種高電流、低阻抗需求的場合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMG6968UDM_SOT-23-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.0A 參數(shù)4：RDON/14.0mR 標價：歡迎咨詢