AON1606_DFN1006-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.7A 參數4：RDON/220.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

AON1606 是一款N溝道MOSFET，采用微型DFN1006-3L封裝，專為緊湊型和低功耗電子設備設計。其電氣特性包括最大漏源電壓VDSS為20V，可穩定承載0.7A的漏極電流ID，且導通電阻RD(on)僅為220mR，確保在低電流應用中仍能保持良好的效率表現。這款MOS管被廣泛應用于電源管理、信號切換、電池保護電路以及各種便攜式和移動設備的低電壓、低電流開關控制中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AON1606_DFN1006-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.7A 參數4：RDON/220.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.7A 參數4：RDON/220.0mR 標價：歡迎咨詢