ESD11D5.0C-HXY_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：15000圓盤參數1：Bi雙向參數2：電壓VRWM/5.0V 參數3：電流IPP/8.0A 參數4：電容Cj/15.0pF 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款DFN0603-2L封裝雙向ESD靜電防護二極管，專為單通道應用設計。具有5V的高耐壓VRWM特性，可有效防止過電壓損害。器件提供高達8A的峰值脈沖電流IPP能力，并擁有低至15pF的結電容CJ，確保在高效抑制ESD的同時，維持高速信號線路的優異傳輸質量，是小型化、高性能接口的理想防靜電保護組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司
會員等級：會員
聯系人：連先生
聯系電話：138 2358 3904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈南座2013

ESD11D5.0C-HXY_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：15000圓盤 參數1：Bi雙向 參數2：電壓VRWM/5.0V 參數3：電流IPP/8.0A 參數4：電容Cj/15.0pF 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：15000圓盤參數1：Bi雙向參數2：電壓VRWM/5.0V 參數3：電流IPP/8.0A 參數4：電容Cj/15.0pF 標價：歡迎咨詢