HN2288_DFN3x3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/30A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/12mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 本款消費(fèi)級(jí)NN溝道MOSFET采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，具備雙通道驅(qū)動(dòng)能力，額定電壓30V，連續(xù)電流高達(dá)30A。適用于高效電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載均衡和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用場(chǎng)合，提供卓越的集成度與能效表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：138 2358 3904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013

HN2288_DFN3x3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/30A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/12mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/30A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/12mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢