BSC025N03MS G-HXY_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/150A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/2.4mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款高性能N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，專為大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓30V，峰值連續(xù)電流高達(dá)150A，特別適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)和高功率開關(guān)場(chǎng)景，提供卓越的導(dǎo)通性能與高效散熱，是緊湊型電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)超強(qiáng)功率控制的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

BSC025N03MS G-HXY_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/150A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/2.4mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/150A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/2.4mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢