GBJ2510_GBJ_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBJ 類別：整流橋最小包裝：250盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@12.5A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 25A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 350A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 此款GBJ封裝整流橋器件，針對高功率、大電流應用進行了優化設計。擁有高達1000V的反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下穩定可靠工作。其亮點在于，在12.5A連續電流下，正向壓降VF低至1.05V，有助于提高電源轉換效率并降低能耗。此外，該器件具備強大的電流處理能力，最大連續輸出電流可達25A（IO），適應各類嚴苛的應用環境。這款整流橋是高性能、高穩定性電路設計的理想選擇，助力您實現高效、安全的大電流電源轉換。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBJ2510_GBJ_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBJ 類別：整流橋 最小包裝：250盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@12.5A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 25A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 350A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBJ 類別：整流橋最小包裝：250盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@12.5A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 25A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 350A 標價：歡迎咨詢