GBU2510_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 25A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 此款GBU封裝整流橋，是一款專為高功率、高效率應用設計的頂級整流器件。具備1000V的高強度反向電壓額定值（VR），在10A電流下，正向壓降VF低至1.05V，有效減少能量損耗并提升系統效能。尤其值得關注的是其強大的瞬態峰值電流能力高達25A（IO），確保了在極端條件下仍能保持穩定工作。適用于各類需處理高電壓、大電流場景的電路設計，是您構建高性能系統的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU2510_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 25A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 25A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢