GBU1010_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 10A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款GBU封裝的整流橋器件，專為高電壓、大電流應(yīng)用場合設(shè)計。擁有1000V的高反向電壓額定值（VR），確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。其正向壓降VF在10A電流下低至1.05V，有效降低功耗并提升電源轉(zhuǎn)換效率。此外，器件具備出色的電流處理能力，最大連續(xù)輸出電流可達10A（IO），保證了設(shè)備運行時的高效與可靠性。此款整流橋是各類高要求電路設(shè)計的理想選擇，助您輕松應(yīng)對復(fù)雜電源轉(zhuǎn)換挑戰(zhàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU1010_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 10A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 10A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標(biāo)價：歡迎咨詢