GBU610_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款GBU封裝整流橋，屬于高效率、低損耗的優質器件。其擁有1000V的卓越反向電壓額定值（VR），在6A工作電流下，正向壓降VF僅為1.05V，確保了設備在大電流運行時仍能保持較低能耗及高效能表現。最大連續輸出電流高達6A（IO），保證了穩定可靠的電力傳輸。適用于各類高電壓、大電流應用場景，是您電路設計的理想選擇，助您實現性能與耐用性的完美結合。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU610_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 220A 標價：歡迎咨詢