GBU406_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 4A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 此款采用GBU封裝的高性能整流橋器件，專為高效能、低損耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。其核心參數(shù)包括VR最高耐壓600V，確保在常規(guī)電壓環(huán)境下穩(wěn)定可靠工作；VF表現(xiàn)優(yōu)異，僅為1.1V@4A，在4A電流下仍維持較低的電壓降，有效提升電源轉(zhuǎn)換效率與節(jié)能效果；額定輸出電流IO達(dá)到4A，提供穩(wěn)定強(qiáng)大的電流處理能力。廣泛應(yīng)用于各類中高端電源系統(tǒng)、逆變器及電子設(shè)備中，助力提升整體性能和穩(wěn)定性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU406_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 4A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 4A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標(biāo)價：歡迎咨詢