GBU808_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 8A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款GBU封裝的整流橋器件，專為高效能電子系統(tǒng)設計。其卓越性能體現(xiàn)在800V的直流反向耐壓及8A的平均整流電流，確保在高電壓大電流環(huán)境下穩(wěn)定工作。正向壓降低至1.1V@8A，有效降低功耗，提升系統(tǒng)效率。而反向電流僅為5uA@800V，展現(xiàn)出出色的阻斷性能，適用于各類需要高品質半導體器件的應用場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

GBU808_GBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 8A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBU 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 8A 標價：歡迎咨詢