HXY4882S_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：電壓VDS/40V 參數(shù)3：電流ID/12A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/20mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 高性能NN溝道MOSFET，采用SOP-8封裝工藝，專為消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)打造。具備40V高耐壓及高達(dá)12A的連續(xù)電流處理能力，特別適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合。本器件以卓越的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能為核心優(yōu)勢(shì)，是優(yōu)化系統(tǒng)能耗、提升設(shè)備性能的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HXY4882S_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/40V 參數(shù)3：電流ID/12A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/20mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：電壓VDS/40V 參數(shù)3：電流ID/12A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/20mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢