聯發科中端芯片單核性能弱，凸顯技術劣勢，或助力高通重奪優勢

今年可謂聯發科高張之年，自2020年在全球手機芯片市場擊敗高通之后，它的最大遺憾就剩下高端市場了，然而高通這兩年的高端芯片都存在功耗問題，由此為聯發科提供了機會，而聯發科也以自己芯片的出色性能和功耗成功在高端市場突圍，如今聯發科希望在中端芯片市場再壓高通一頭。

在中端芯片市場，聯發科以天璣8000對高通的神U驍龍870，天璣8000采用了ARM性能更強的A78核心，工藝為臺積電的5納米；驍龍870則采用了ARM更舊的A77核心，工藝為臺積電更舊的7納米。

在諸多優勢之下，天璣8000理應超越高通的驍龍870才是，然而現實讓人錯愕，從Geekbench5的測試數據可以看到驍龍870的單核性能達到998分，天璣8000的單核性能只有928分；當然聯發科的天璣8000在多核性能方面肯定遠超驍龍870。

聯發科過于重視多核性能，可能在于它希望在跑分方面取得優勢，畢竟多核性能一直都是聯發科的強項，然而如今業界都認為多核性能對于手機來說不是太重要，而單核性能更重要，似乎聯發科再次上演跑分沒輸過、體驗沒贏過。

這也顯示出高通在核心調校方面，技術稍勝聯發科一籌，在落后的高性能核心和工藝之下，驍龍870竟然有如此出色的表現，如此隨著高通回歸臺積電，聯發科在高端芯片市場暫時取得的優勢將成為泡影。

高通連續兩代高端芯片都出現發熱問題，業界普遍認為是因為三星的5nm以及改良版的4nm工藝不過關所致，早前臺媒digitimes分析了Intel、臺積電、三星的工藝，以晶體管密度為參數，發現Intel的7nm工藝與臺積電的5nm、三星的3nm工藝接近，顯示出三家芯片制造企業在先進工藝方面的技術差異。

如此業界對于臺積電生產的驍龍8G1＋更為期待，驍龍8G1＋和天璣9000采用同樣的核心架構，采用同樣的臺積電4納米工藝，在高通更強的調校技術之下，CPU性能或將反超天璣9000；事實上此前由三星生產的驍龍8G1雖然功耗不太理想，但是在跑分方面也沒輸給天璣9000太多，證明高通在技術方面確實有一些優勢。

高通的另一大優勢是它的自主研發的GPU，它的Adreno GPU性能居于安卓陣營之首，其他安卓芯片企業包括聯發科都采用ARM的Mali公版核心，在GPU性能方面確實比高通弱不少，依靠更強的自主GPU和基帶技術，高通或能由此翻身挽回臉面。

其實這也是安卓芯片的悲哀吧，如今的安卓芯片都類似于組裝芯片企業，它們的CPU都采用ARM的公版核心，在性能方面已很難做出差異，決定性能的關鍵在于是否采用臺積電的先進工藝，失去話語權的安卓芯片日益淪落。

中國手機企業對于高通和聯發科其實也是左右搖擺，它們不希望任何一家取得絕對優勢，因此在2021年Q2之前主要支持聯發科，推動聯發科在全球手機芯片市場占有的市場份額曾提升至43％，但是到了去年Q4中國手機又稍微偏向高通，于是高通的市場份額回升至三成以上、聯發科的市場份額則徒然降至33％。