趕超臺(tái)積電？三星3nm芯片明日量產(chǎn)：GAA技術(shù)功耗爆降50％
6月29日消息，外媒BusinessKorea報(bào)道稱，三星電子將在6月30日開始批量生產(chǎn)3nm芯片，搶先臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。三星3nm工藝基于先進(jìn)的GAA全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，相比臺(tái)積電的FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)更為先進(jìn)，三星能否借此一舉趕超臺(tái)積電呢？
（圖源：三星官方）
很早之前，三星就表示會(huì)在今年第二季度量產(chǎn)3nm芯片，終于是趕在最后一天投產(chǎn)了，時(shí)間上比臺(tái)積電早一個(gè)季度左右。另外，三星還是首家使用GAA晶體管技術(shù)的半導(dǎo)體公司，在技術(shù)上同樣領(lǐng)先臺(tái)積電。三星3nm工藝如果能達(dá)到預(yù)期的表現(xiàn)，理論性能應(yīng)該是要比臺(tái)積電3nm更強(qiáng)幾分的。
按照官方介紹，基于GAA技術(shù)的3nm工藝，與7nm工藝相比芯片邏輯面積減少45%，功耗降低50%，性能提高約35%，而且能在極低的電壓下穩(wěn)定運(yùn)行，紙面參數(shù)強(qiáng)于臺(tái)積電3nm。韓國(guó)分析師近日爆料稱，三星3nm工藝的良品率遠(yuǎn)高于市場(chǎng)預(yù)期，新增客戶速度也相當(dāng)快。盡管不清楚良品率具體有多高，但表現(xiàn)應(yīng)該是較為理想，很值得期待。
（圖源：三星官方）
據(jù)了解，高通、AMD等廠商因?yàn)闊o法獲得臺(tái)積電3nm工藝的首批產(chǎn)能，已經(jīng)轉(zhuǎn)頭選擇三星，成為三星3nm工藝的客戶。在此推動(dòng)下，三星晶圓代工業(yè)務(wù)有望增長(zhǎng)40%，市場(chǎng)份額超過25%，能從臺(tái)積電那邊爭(zhēng)奪更大的市場(chǎng)蛋糕。
臺(tái)積電3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間雖然慢一些，但明顯更加可靠。中國(guó)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)消息稱，AMD、蘋果、英特爾、聯(lián)發(fā)科等一眾客戶，都在排隊(duì)等待臺(tái)積電3nm工藝的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)在第四季度左右量產(chǎn)。臺(tái)積電準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能，第一波應(yīng)該已經(jīng)被蘋果包圓了，后面三波才會(huì)陸續(xù)分給英特爾、AMD、聯(lián)發(fā)科、高通等客戶。
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目前，臺(tái)積電3nm工藝的試產(chǎn)進(jìn)度比較順利，第一波月產(chǎn)能大約為2.5萬片晶圓，蘋果M2系列芯片應(yīng)該會(huì)首發(fā)臺(tái)積電3nm工藝。后續(xù)，英特爾新一代處理器、AMD和聯(lián)發(fā)科下一代芯片也會(huì)用上3nm工藝。
一直以來，三星的制程工藝都被臺(tái)積電壓過一頭，市場(chǎng)份額不斷被稀釋。所以，三星選擇押寶3nm工藝，想要彎道超車追上臺(tái)積電，在先進(jìn)工藝領(lǐng)域擁有更多話語權(quán)。從目前來看，三星確實(shí)有這個(gè)潛力，希望量產(chǎn)芯片的表現(xiàn)能帶給行業(yè)一些驚喜吧。
