三星與ASML達(dá)成協(xié)議：采購下一代High-NA EUV光刻機(jī)

6 月 30 日消息，據(jù) BusinessKorea 報道，三星電子副董事長李在镕于 6 月中旬結(jié)束了對歐洲的商務(wù)訪問，此行他與 ASML 公司就引進(jìn)該荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商的下一代極紫外（EUV）光刻設(shè)備進(jìn)行了會談。

報道稱，李在镕于 6 月 14 日（當(dāng)?shù)貢r間）在荷蘭 ASML 總部會見了 ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 和首席技術(shù)官 Martin van den Brink，并就引進(jìn)今年生產(chǎn)的 EUV 光刻設(shè)備和計劃于明年推出的高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV 光刻設(shè)備達(dá)成了協(xié)議。

High-NA EUV 是下一代光刻設(shè)備，與現(xiàn)有的 EUV 光刻設(shè)備相比，可以雕刻出更精細(xì)的電路，其被認(rèn)為是一個改變游戲規(guī)則的設(shè)備，將決定 3 納米以下代工市場技術(shù)競賽的贏家。

了解到，High-NA EUV 光刻設(shè)備的單價估計為 5000 億韓元（約 25.85 億元人民幣），是現(xiàn)有 EUV 光刻設(shè)備的兩倍。

今年早些時候，英特爾宣布已簽署合同購買 5 臺這種設(shè)備，用于在 2025 年生產(chǎn) 1.8 納米芯片。臺積電也在 6 月 16 日的美國硅谷技術(shù)研討會上表示，它將在 2024 年在全球首次將 High-NA EUV 光刻設(shè)備引入其工藝。

在這場對下一代 EUV 光刻設(shè)備的爭奪中，三星電子也尋求獲得最新的 EUV 設(shè)備。李在镕的歐洲商務(wù)之旅主要是為了確保獲得下一代 High-NA EUV 光刻設(shè)備，以及目前正在生產(chǎn)的最新一代設(shè)備。

ASML 今年只能生產(chǎn) 50 臺 EUV 設(shè)備，交貨期為一年到一年零六個月。該公司有限的生產(chǎn)能力和較長的交貨期，助長了對 High-NA EUV 光刻設(shè)備的預(yù)購競爭。

三星電子將 High-NA EUV 光刻設(shè)備實際應(yīng)用于其半導(dǎo)體工藝的具體時間還沒有確定。但考慮到交付周期，預(yù)計三星電子將在 2024 年開始實際使用 High-NA EUV 光刻設(shè)備。

一些行業(yè)觀察人士呼吁韓國政府對半導(dǎo)體設(shè)施的投資給予更多支持。據(jù)報道，三星電子已經(jīng)獲得了今年計劃生產(chǎn)的 55 臺 EUV 光刻設(shè)備中的 18 臺。這意味著，該公司僅在 EUV 光刻設(shè)備上的投資就將超過 4 萬億韓元（約 206.8 億元人民幣）。

“如果三星采購 10 臺 High-NA EUV 光刻設(shè)備，將花費公司超過 5 萬億韓元（約 258.5 億元人民幣），”一位業(yè)內(nèi)人士說，“有必要擴(kuò)大政府支持，以增強韓國的國家工業(yè)競爭力”。