全面圍堵！美國(guó)想禁14nm及以下、128層以上的半導(dǎo)體設(shè)備

近日，有媒體報(bào)道稱，為了全面圍堵中國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展，美國(guó)官員計(jì)劃對(duì)14nm及以下的芯片制造設(shè)備，以及128層以上的存儲(chǔ)芯片制造設(shè)備進(jìn)行禁止，不允許供應(yīng)商們對(duì)位于中國(guó)大陸的廠商出貨。

為何要禁止14nm及以下的芯片制造設(shè)備？原因在于28nm是成熟工藝與先進(jìn)工藝的分界線，14nm算是先進(jìn)工藝了，所以要禁止，只能讓我們制造成熟工藝的芯片，停留在成熟工藝上，然后先進(jìn)工藝的芯片，從美國(guó)買，然后美國(guó)獲得巨額利益。

而為何要禁128層以上的存儲(chǔ)設(shè)備制造設(shè)備？原因在于128層的NAND閃存，在當(dāng)前其實(shí)也算是成熟工藝了，長(zhǎng)江存儲(chǔ)早已量產(chǎn)了。

像三星、SK海力士等早就進(jìn)入了192層，甚至200＋層，最近美光不就表示已經(jīng)推出了232層 3D NAND閃存了么？

禁128層以上設(shè)備，相當(dāng)于就阻止中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商，進(jìn)入了更先進(jìn)的技術(shù)，只能停留在128層技術(shù)上。

據(jù)稱，這個(gè)禁令針對(duì)的是所有位于中國(guó)大陸的廠商，不管這個(gè)廠商是不是中國(guó)本土的廠商。意思就是假如臺(tái)積電、intel、三星等企業(yè)，在中國(guó)大陸設(shè)的廠，也一樣要被禁止。

很明顯，美國(guó)就是全方面的進(jìn)行圍堵我們的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)掌握先進(jìn)技術(shù)，希望我們只能掌握成熟的技術(shù)，這樣就離不開美國(guó)的芯片，一直被美國(guó)卡著脖子，那么我們的高科技產(chǎn)業(yè)，就一直處于美國(guó)掌握之中。

不過，當(dāng)前這個(gè)禁令還只是某些官員提出，并沒有真正的成為政策執(zhí)行，但接下來會(huì)不會(huì)執(zhí)行，還是未知數(shù)。

但這則消息已經(jīng)反映出一個(gè)現(xiàn)象，那就阻止中國(guó)科技產(chǎn)業(yè)崛起，可能已經(jīng)是美國(guó)某些政客的共識(shí)了，這對(duì)于我們而言，確實(shí)不是一個(gè)好消息。

再考慮到美國(guó)之前通過的520億美元的芯片補(bǔ)貼計(jì)劃，要鎖死中國(guó)高端芯片產(chǎn)業(yè)10年，逼芯片巨頭們二選一，所以我們接下來發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，只能靠自己，不能對(duì)外有任何幻想，一定要全產(chǎn)業(yè)鏈崛起才行。