不過5nm、4nm這兩個節(jié)點上，三星確實是沒拼過臺積電的，因為良率太低，工藝表現(xiàn)不佳。
所以在3nm上，三星拼了一把，提前量產(chǎn)了3nm，并且采用了最新的GAAFET晶體管技術(shù)，不過從現(xiàn)在的情況來看，三星估計在3nm上還是拼不過臺積電，畢竟客戶基礎(chǔ)是臺積電的優(yōu)勢。
這不，三星將目光又將目光瞄向了更先進的工藝，比如2nm，以及2nm之后的工藝。
之前三星表示，要在2025年量產(chǎn)2nm，而臺積電也表態(tài)要在2025年量產(chǎn)2nm，這給三星非常大的壓力，于是三星近日再放豪言，要在2027年量產(chǎn)1.4nm。
至于為何是2027年，原因是2027年臺積電未必能夠量產(chǎn)1.4nm，因為按照臺積電的計劃，2025年量產(chǎn)2nm后，下一代工藝，可能要再過3年以上，也就是要到2028年去了。
那么三星2027年能不能量產(chǎn)1.4nm？這個不好說，不過我知道，現(xiàn)在三星連生產(chǎn)1.4nm芯片的光刻機都沒著落，所謂的2027年量產(chǎn)1.4nm，真的只是在嘴上說說而已。
按照ASML的說法，最新一代的EUV光刻機，會在2025年左右推出，型號是NXE:5200，采用的是0.55NA的數(shù)值孔徑，能夠用于2nm芯片的光刻。
但這一代之后，EUV光刻機技術(shù)，基本上就發(fā)展到了盡頭了，之后再是什么技術(shù)，ASML不知道。
而NXE:5200能不能生產(chǎn)1.4nm芯片，ASML自己都心里沒底，只是說能夠搞定2nm芯片。
芯片技術(shù)發(fā)展到現(xiàn)在，更新一代已經(jīng)是越來越慢，需要的時間越來越長，因為工藝接近極限了，越縮小越難。
從5nm到3nm，差不多是2年多。從3nm到2nm，要3年。從2nm到1.4nm，保守估計也要3年以上，所以三星說2027年就量產(chǎn)，明顯不太可信，你覺得呢？
