ASML的哀愁：EUV光刻機(jī)將不再是制造高端芯片的唯一選擇

眾所周知，芯片問題不僅是華為當(dāng)下面臨的困難，也是我國亟需解決的問題。事實(shí)上，早在華為遭遇“卡脖”的時候，華為任正非就說過，國內(nèi)可以設(shè)計(jì)出頂尖的芯片，而是因?yàn)槿鄙貳UV光刻機(jī)，設(shè)計(jì)出來的高端芯片無法完成制造。

要知道，高端芯片與成熟芯片的分水嶺是7nm工藝，而EUV光刻機(jī)作為7nm及以下制程必須用到的核心設(shè)備，在全球范圍內(nèi)只有ASML一家可以生產(chǎn)出來。因?yàn)槠涫褂玫挠忻绹墓庠醇夹g(shù)及相關(guān)元器件，所以受禁令影響，不能向中企供貨。

然而，令A(yù)SML沒有想到的是，近期老美再次向荷蘭方面施壓，讓其擴(kuò)大光刻機(jī)出貨范圍，把DUV光刻機(jī)也列入禁令范圍內(nèi)。但ASML這次卻沒有再像之前那樣“乖乖聽話”了，而是選擇“硬剛”老美，稱其是一家歐洲公司，DUV光刻機(jī)作為已經(jīng)成熟的設(shè)備，不在禁令之內(nèi)，將會繼續(xù)向中企供貨。

其實(shí)ASML有這樣的態(tài)度也是正常的，EUV和DUV這兩種光刻機(jī)作為ASML重要的營收來源，而中國是全球最大的光刻設(shè)備消費(fèi)市場之一，更是ASML主要布局的市場。另外，近期全球市場傳來的消息，是ASML“硬剛”老美的重要因素，也是ASML哀愁的開始。

首先，美光宣布采用1-beta制造工藝?yán)@開EUV光刻機(jī)制造出了DRAM高性能芯片，測試數(shù)據(jù)顯示，該芯片在能效和儲存密度上均得到明顯的提升，分別為25%和30%，更為關(guān)鍵的是功耗大幅降低20%?，F(xiàn)在已經(jīng)處于技術(shù)測試階段，一旦通過測試，就可以進(jìn)行量產(chǎn)。

更為關(guān)鍵的是據(jù)美媒報(bào)道，Zyvex Labs公司推出了精度也遠(yuǎn)超EUV光刻機(jī)的全球分辨率最高的亞納米分別系統(tǒng)，可以繞開EUV光刻機(jī)制造出0.768nm的芯片。

其次，臺積電牽頭聯(lián)合三星記憶本、SK海力士等19家芯片巨頭成立了“3D Fabric”聯(lián)盟，其目標(biāo)是研究3D封裝技術(shù)，使其達(dá)到成熟化標(biāo)準(zhǔn)。并且該封裝技術(shù)已經(jīng)得到AMD的驗(yàn)證，在不依靠EUV光刻機(jī)的前提下，提升了芯片的性能。

要知道，臺積電是全球芯片代工領(lǐng)域的“老一”，擁有80臺EUV光刻機(jī)，如今也在尋求繞開EUV光刻機(jī)的方法，這才是令A(yù)SML最為擔(dān)心的地方。

另外，日本鎧俠和佳能聯(lián)合推出了納米壓印微影技術(shù)，與目前制造高端芯片需要的主流EUV光刻機(jī)相比，成本降低40%左右，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)5nm芯片工藝的量產(chǎn)。

最重要的是，國內(nèi)首條光子芯片生產(chǎn)線已經(jīng)在建設(shè)階段，預(yù)計(jì)在2023年可以建成投產(chǎn)，光子芯片的制造完全不需要EUV光刻機(jī)的。國內(nèi)封測大廠通富微電前不久宣布突破了5nm芯粒技術(shù)；此外，華為也申請了超導(dǎo)量子芯片專利。

值得注意的是光子芯片、芯粒技術(shù)，還是量子芯片，這些都是不需要EUV光刻機(jī)。國內(nèi)完全可以在這些方面另辟蹊徑，實(shí)現(xiàn)高端芯片的國產(chǎn)制造。

不管是美光的1-beta工藝、臺積電的3D封裝技術(shù)以及日本佳能推出的納米壓印微影技術(shù)和國內(nèi)另辟蹊徑取得的技術(shù)突破，均已表明高端芯片的制造。這也意味著ASML哀愁的開始，EUV光刻機(jī)不再是唯一選擇。

如今，全球半導(dǎo)體格局正在發(fā)生微妙的變化，而國產(chǎn)芯片正處于突破技術(shù)壁壘的關(guān)鍵時期，國內(nèi)企業(yè)要做的就是堅(jiān)持自主研發(fā)，一方面繼續(xù)對傳統(tǒng)的EUV光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)行攻克，另一方面在另辟蹊徑的道路上技術(shù)加大研究，只有掌握核心技術(shù)，才能在半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)行大“洗牌”的時候掌握主動權(quán)。

要始終明白，在國產(chǎn)芯片崛起的道路上，要放棄一切幻想，拋開一切雜念，早日突破技術(shù)封鎖，才能擺脫被“卡脖”的命運(yùn)，讓別人都不敢在欺負(fù)我們。