實(shí)事求是，目前離14nm芯片自主可控，都可能還要3-5年時(shí)間

目前中國(guó)大陸芯片工藝最先進(jìn)的是中芯，早就實(shí)現(xiàn)了14nm工藝。

不過(guò)大家也都清楚，因?yàn)橹行镜倪M(jìn)步，讓美國(guó)感到了忌憚，所以將中芯拉入了黑名單，對(duì)先進(jìn)工藝的設(shè)備進(jìn)行了限制，想要鎖死我們16/14nm以下先進(jìn)邏輯制程，一直停留在14nm。

但是，大家要清楚，這個(gè)所謂的14nm工藝，其實(shí)也是在進(jìn)口各種設(shè)備的情況下實(shí)現(xiàn)的，如果采用全國(guó)產(chǎn)設(shè)備，14nm目前是不可能實(shí)現(xiàn)的。

按照某些專(zhuān)業(yè)人士的說(shuō)法，目前全球沒(méi)有一個(gè)國(guó)家，可以實(shí)現(xiàn)晶圓廠的全產(chǎn)業(yè)鏈，也沒(méi)有一家晶圓廠，可以不需要美國(guó)的技術(shù)。

如果有這么一個(gè)國(guó)家的晶圓廠，可以實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈，可以不需要美國(guó)的技術(shù)，那么它一定是中國(guó)，但也不是現(xiàn)在，而是將來(lái)。

就拿14nm工藝來(lái)說(shuō)，目前我們同樣大量依賴(lài)從美國(guó)進(jìn)口設(shè)備，材料、軟件等，離實(shí)現(xiàn)自主可控，業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，至少還需要3-5年時(shí)間。

芯片生產(chǎn)過(guò)程中涉及到幾十種設(shè)備，上百道工序。我們只撿重點(diǎn)的說(shuō)。從三個(gè)環(huán)節(jié)來(lái)說(shuō)一下，這三個(gè)環(huán)節(jié)分別是單晶硅片制造、前道工序、后道工序。

第一個(gè)環(huán)節(jié)，就是將砂子變成硅晶圓的過(guò)程，目前國(guó)內(nèi)能制造300mm的晶圓，可以用于14nm，這里面其實(shí)也用到了美國(guó)進(jìn)口設(shè)備，但我們先不管，就當(dāng)可以完全獨(dú)立自主好了。

重點(diǎn)是前道工序，這里就是將硅晶圓，變成加工后的裸芯片的過(guò)程，這里至少有擴(kuò)散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化、測(cè)試，這8個(gè)重點(diǎn)步驟。

這里的設(shè)備就牽涉眾多了，最難的是光刻機(jī)，國(guó)產(chǎn)僅90nm，還有離子注入、測(cè)試等環(huán)節(jié)的設(shè)備，國(guó)產(chǎn)在28nm，還有徐膠顯影機(jī)等，還在60nm。

此外，這里還涉及到眾多的材料，特氣、光掩膜、光刻膠、光刻膠輔助材料、濕化學(xué)品、靶材、拋光液等，這里面光刻膠，國(guó)產(chǎn)僅能達(dá)到45nm，還有一些靶材是空白，需要進(jìn)口。

而在后道工序，主要也就是封測(cè)，國(guó)內(nèi)有三大廠商，排名全球前10名，分別是江蘇長(zhǎng)電、天水華天、通富微電，這三大廠商的封測(cè)技術(shù)達(dá)到了4nm，但用到的設(shè)備，很多也是進(jìn)口的。

此外，還有制造芯片用到的EDA軟件，控制晶圓廠自動(dòng)化的軟件，大多也是使用美國(guó)的，國(guó)產(chǎn)在先進(jìn)工藝上，很多覆蓋不到，甚至連全流程都覆蓋不到，比如EDA只能覆蓋全流程的70%左右，工藝大多在28nm、45nm、60nm這樣的環(huán)節(jié)。

所以要搞定14nm工藝的全國(guó)產(chǎn)，按照業(yè)內(nèi)人士的估計(jì)，至少要3-5年，甚至有可能3-5年都不夠，還取決于國(guó)內(nèi)廠商們的研發(fā)進(jìn)度。

所以在當(dāng)前，國(guó)內(nèi)的芯片產(chǎn)業(yè)對(duì)美國(guó)的依賴(lài)還相當(dāng)大，當(dāng)真正實(shí)現(xiàn)了全自主的14nm時(shí)，才能稍硬氣一點(diǎn)，現(xiàn)在還是低調(diào)一點(diǎn)吧，你覺(jué)得呢？