美國發起的對華聯合出口限制留下漏洞？
據報道，荷蘭和日本已與美國達成協議，共同限制向中國出口芯片制造工具，這將進一步削弱中國半導體行業的發展，因為除了限制中國制造商使用EUV光刻機外，進一步限制其使用浸沒式DUV光刻機。但在美國對中國發起的嚴格出口限制中，中國半導體企業是否可以利用任何關鍵漏洞來緩沖沖擊？這似乎是一個值得仔細研究的問題。
近年來，美國加大了對中國半導體產業發展的打壓力度。不僅設計了各種策略和行動，還動員了盟友的參與。在 2022 年 10 月對向中國出口先進芯片制造工具和技術實施全面出口限制后，美國急于讓擁有 ASML 和 Tokyo Electron 等芯片制造大國的荷蘭和日本加入，以讓限制更有效。
美國最近與荷蘭和日本達成的協議無疑對中國強化其芯片產業能力的努力產生很大影響。隨著三方協議的簽署，對中國芯片行業的出口限制將更加嚴格，該協議將為美國未來進一步擴大對華制裁范圍鋪平道路。不過，美國研究機構SemiAnalysis基于技術視角的報告觀點認為美國政府目前的出口管制措施還存在相當大的差距。
美國在晶圓制造設備供應方面處于領先地位，在沉積、蝕刻、過程控制、化學機械拋光 (CMP) 和離子注入設備方面占據了大部分市場份額。但包括 Applied Materials、Lam Research 和 KLA 在內的許多美國設備制造商向媒體表示，政府在 2022 年 10 月實施的全面單邊出口管制可能會讓他們的海外競爭對手，如荷蘭的 ASM International (ASMI) 和日本的 Tokyo Electron擴大市場份額。
他們還強調，如果不限制荷蘭制造商阿斯麥和日本尼康、佳能向中國出口深紫外光刻設備，美國施加的單邊出口限制將難以發揮其應有的作用。ASML在浸沒式DUV設備市場與尼康不相上下，佳能雖然不賣DUV機，但在干式光刻系統市場與ASML競爭激烈。
關鍵問題：中國未來可以購買哪些工藝裝備？
一般來說，ArF浸沒式掃描儀可用于7納米至38納米節點的曝光應用，改進后的型號是最先進的可支持7納米工藝曝光的DUV系統。此外，干式 ArF 系統可以滿足 65納米和其他成熟工藝的曝光需求。
制約中國半導體產業快速發展的主要途徑是通過設備出口管制。美日荷三邊協議已敲定限制中國企業獲得深紫外光刻機渠道，但拜登政府將在多大程度上通過該協議對中國實施技術瓶頸尚未正式公布?？紤]到DUV是一項非常廣泛的技術，涵蓋了KrF、干式ArF、以及ArFi浸沒式光刻機，中國半導體企業未來能拿到什么光刻機還有待觀察。
早在1988年，尼康就發布了第一臺采用KrF曝光技術的DUV設備，命名為NSR-1505EX。最新的三方出口限制協議不應該包括這樣的技術。但既然基于KrF的DUV機臺在14納米芯片的量產中仍能起到輔助作用，那么這三個國家是否會禁止此類機臺對華出口呢？
另一方面，ASML于2022年發布的最新一代沉浸式DUV系統NXT2100i可能是拜登政府對華禁售的重點機型之一。然而，ASML 仍然聲稱，除了 EUV 機器外，它與中國客戶的業務正常。目前，ArFi DUV 機器占 ASML 總收入的 34%，僅次于 EUV 型號的 46%。因此，如果浸沒式DUV光刻機被禁止出口到中國，其業務收入將受到嚴重打擊。
美國出口限制規則可松可緊
如果美國政府的目的是阻止中國獲得 14/7/5納米工藝技術，那么對中國出口的禁令必須涵蓋能夠處理這些工藝節點的不同級別的工具。目前，臺積電16/12納米工藝技術的最小金屬間距為64納米，而對應的7納米工藝為40納米，5納米節點為28納米。這意味著任何可以達到 64/40/28納米最小金屬間距的光刻設備都必須包含在 5/7/14納米工藝出口禁令中。
換句話說，必須禁止ASML和尼康向中國出口其可以加工最小金屬間距為28納米的5納米芯片的ArFi DUV機器，因為這樣的機器可以幫助中國半導體制造商完成他們最關心的技術突破。
2019年，時任特朗普政府通過讓荷蘭政府拒絕續簽出口許可證，成功阻止ASML向中國出口EUV機器。但這不意味不可以通過 SAQP 和 ArFi 光刻機實現了 7納米芯片的生產，就像臺積電在其第一代 7納米工藝商業化時也沒有使用 EUV 設備，盡管其成品率商業化生產規模很低。
成熟工藝設備出口禁令
如果美國的目標是扼殺中國制造商的 14/7/5 納米芯片生產，那么可以生產金屬間距為 40納米的 7納米芯片的 ArFi 和干式 ArF DUV 機器，以及可以處理金屬間距為 64納米的 14納米芯片的干式 ArF 和 KrF 型號都可能被限制。
從技術角度來看，所有訪問任何類型的 DUV 系統的渠道，只要能夠實現上述最小金屬間距特征尺寸，都應該針對中國半導體制造商進行封鎖。
如果那樣的話，中國晶圓廠將失去三大DUV系統——KrF、干式ArF和ArFi的支持，可能不得不退回到40/45納米一代。他們甚至可能無法投資擴建 14-38 納米芯片的新生產線，而中國將不得不從國外購買芯片。
多邊出口管制仍然存在重大差距
SemiAnalysis報告指出，拜登政府與日本、荷蘭聯手遏制中國先進制造工藝，至少還留下一個關鍵缺口——運往中國的光刻膠出貨量仍未受控。
目前，全球光刻膠的絕大部分供應由少數日本廠商壟斷，美國杜邦公司遠遠落后，市場份額僅排名第四。在許多情況下，光刻膠的化學成分需要與最終客戶就光刻機類型、工藝代碼、特征類型和特征尺寸進行廣泛的微調。如果日本限制光刻膠運往中國，中國代工廠可能無法進行曝光工藝和進一步的芯片制造。從表面上看，現階段完全不限制對華光刻膠出口可能是一個漏洞，但這也可能是美國有意讓政策靈活運用。
SEMI 已呼吁日本、荷蘭和其他美國盟友對中國半導體公司采取與美國相同的全面貿易限制措施，并警告稱，否則針對中國的實際芯片扼殺戰的影響將大大降低。在沒有額外限制的情況下，中國仍可以利用現有設備、國產設備和其他部件進行先進的半導體生產，也可以受益于非美國專業人士提供的專有技術知識和服務。
顯然，SEMI和SemiAnalysis一致認為，缺乏上游元器件供應鏈限制是美日荷三方協議的一大漏洞。如果目標是阻止中國獲得5/7/14納米制程技術，除了三大類DUV系統之外，設備工程師的光刻膠和維護服務也應該被納入其監管控制范圍。否則，中國將能夠重新配置現有設備，以加速其國產光刻機的發展。
